高纯砷(Arsenic)
发布于2021-02-22 18:06 文章来源:未知
As 砷 Arsenic
♦低纯砷可用于合成通讯设备元器件中所使用的砷化镓晶片,是半导体工艺的必备原材料。
♦MBE级别砷锭(7N5)是半导体芯片技术的核心原材料,高纯度的砷锭可以极大的减少材料表面的生长缺陷。 ♦半导体材料中掺砷后成为N型半导体,增加自由电子的浓度,增强导电能力。 ♦大块砷锭有助于MBE工作者优化素源炉填料的效率,小颗粒的砷粒可以大幅降低成本。 ♦自2016年起高纯砷的进口无须向国家环保部申请《有毒化学品进口环境管理放行单》。 ♦生产厂家:日本Furukawa。 |
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纯度范围:
低纯度:99,9999% (6N),广泛用于GaAs晶体生长
高纯度:99,99999% (7N),可用于MBE实验或GaAs晶体生长
MBE纯度:99,999995% (7N5) ,用于高质量MBE实验外延用源材料
形状:
颗粒:用于GaAs晶体生长,或填充素源炉内剩余空间
锭条状:用于MBE外延生长实验 规格尺寸:
包装及运输:
三层独立真空包装,符合IATA、DOT包装规范
符合国际危险品运输条例及规范
附VG 9000检测报告
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